巨Rashba半导体BiTeX (X = Cl, Br, I)中依赖终止面的表面性质
材料科学
2016-01-20 v1
摘要
非中心对称半导体BiTeX (X = Cl, Br, I)在其电子结构中显示出大的Rashba型自旋轨道分裂，使其成为基于自旋的电子设备候选材料。然而，BiTeI(0001)单晶表面通常由堆垛层错诱导的Te和I终止域组成，意味着空间不均匀的电子结构。在此，我们结合扫描隧道显微镜(STM)、光电子能谱(ARPES, XPS)和密度泛函理论(DFT)计算，系统研究BiTeX(0001)表面的结构和电子性质。对于X = Cl, Br，我们观察到宏观单终止面。我们依据键合特征、表面电子结构和表面形态讨论了三种材料之间的化学特性。
引用
@article{arxiv.1511.06777,
title = {Termination-dependent surface properties in the giant-Rashba semiconductors BiTeX (X = Cl, Br, I)},
author = {Sebastian Fiedler and Thomas Bathon and Sergey V. Eremeev and Oleg E. Tereshchenko and Konstantin A. Kokh and Evgueni V. Chulkov and Paolo Sessi and Hendrik Bentmann and Matthias Bode and Friedrich Reinert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.06777},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 5 figures