不同方法制备的单晶 Bi2Se3 表面的终止
材料科学
2017-07-28 v1
摘要
硒化铋（Bi2Se3）是一种具有二维层状结构的拓扑绝缘体，该结构使其可通过解理制备出干净且有序的表面。尽管一些研究已证明解理表面如体晶体结构所预期的那样以 Se 终止，但其他报告指出其存在 Bi 终止或混合终止。本文利用低能离子散射（LEIS）、低能电子衍射（LEED）和 X 射线光电子能谱（XPS），对在超高真空（UHV）下通过非原位解理、原位解理以及离子轰击退火（IBA）制备的表面进行了比较。通过原位解理和 IBA 制备的表面有序良好且以 Se 终止。非原位解理样品可能以 Se 终止或富 Bi，其有序性较差并伴有吸附污染物。这表明涉及大气污染物的化学反应（可能优先吸附在表面缺陷处）可能导致终止的非可重复性。
引用
@article{arxiv.1606.05760,
title = {Termination of Single Crystal Bi2Se3 Surfaces Prepared by Various Methods},
author = {Weimin Zhou and Haoshan Zhu and Jory A. Yarmoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.05760},
year = {2017}
}
备注
31 pages, 10 figures, 1 table