厚Bi$_2$Se$_3$单晶中导电拓扑表面态的耦合与解耦
应用物理
2020-04-23 v1 其他凝聚态物理
摘要
使用互感双线圈电感技术(Ref. 32)对拓扑绝缘体BiSe单晶进行灵敏的交流磁化率测量,显示了高导电表面态的耦合与解耦。表面态的耦合存在于厚度达70微米的晶体中,这远大于薄膜中约5至10纳米的直接耦合极限。高导电拓扑表面态通过由硒空位产生的高电导通道在晶体内耦合。这些贯穿体态的导电通道在厚度超过70微米及高温下瓦解,从而导致拓扑表面态解耦。我们表明,在该拓扑绝缘体中,解耦的表面态可保持至室温。利用电阻(R)-电感(L)模型分析拓扑绝缘体交流磁化率响应的Nyquist图,表明在这些BiSe晶体中发现的表面态间耦合具有电感性。
引用
@article{arxiv.2004.09728,
title = {Coupling-decoupling of conducting topological surface states in thick Bi$_2$Se$_3$ single crystals},
author = {Amit Jash and Sayantan Ghosh and A. Bharathi and S. S. Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.09728},
year = {2020}
}
备注
19 pages, 5 figures