拓扑绝缘体Bi$_2$Se$_3$纳米晶的制备与表征
材料科学
2012-06-11 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在最近发现的一类被称为拓扑绝缘体的材料中，强自旋-轨道耦合导致体相中的某些拓扑不变量与真空中的值不同。界面处不变量的突变会产生金属性的、时间反演不变的表面态，其性质可用于自旋电子学和量子计算等应用。然而，一个关键挑战是在适合器件和探测表面的纳米尺度上制备这些材料。为此，我们通过机械剥离法生产了厚度为2纳米的拓扑绝缘体BiSe纳米晶。对于厚度小于10纳米的晶体，我们观察到拉曼光谱中出现了一个额外的模式。该涌现模式的强度以及本文呈现的其他结果为BiSe纳米晶的制备和厚度表征提供了方法。
引用
@article{arxiv.1008.0396,
title = {Fabrication and Characterization of Topological Insulator Bi$_2$Se$_3$ Nanocrystals},
author = {S. Y. F. Zhao and C. Beekman and L. J. Sandilands and J. E. J. Bashucky and D. Kwok and N. Lee and A. D. LaForge and S. W. Cheong and K. S. Burch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0396},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 3 figures (accepted for publication in Applied Physics Letters)