拓扑绝缘体拓扑表面态的持久相干性与自旋极化
强关联电子
2013-07-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
拓扑绝缘体上的无能隙表面态受到保护，免受非磁性杂质的弹性散射，这使其成为低功耗电子应用的有力候选者。然而，要实现广泛应用，这些态必须在环境温度下保持相干性并具有显著的自旋极化。在此，我们利用自旋和角分辨光电子能谱，研究了模型拓扑绝缘体 Bi2Se3 表面拓扑态在升高温度下的相干性和自旋结构。我们发现，直至室温，拓扑表面态的展宽极弱，且自旋极化基本无衰减。我们的结果表明，拓扑绝缘体表面的拓扑态可作为室温电子器件的基础。
引用
@article{arxiv.1306.4950,
title = {Persistent Coherence and Spin-Polarization of Topological Surface States on Topological Insulators},
author = {Z. -H. Pan and E. Vescovo and A. V. Fedorov and G. D. Gu and T. Valla},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.4950},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 3 figures