Bi2Te3拓扑表面态的高自旋极化率与圆二色性
介观与纳米尺度物理
2012-05-28 v2
摘要
拓扑绝缘体已通过自旋分辨光发射成功识别，但自旋极化率仍然较低（约20%）。我们展示了对于Bi2Te3，带隙内表面态的自旋极化率更接近完全极化，在费米能级处测量值达到80%。当与体态杂化时，它仍保持高度自旋极化，这可能解释了近期关于Bi2Se3的异常量子干涉结果。拓扑表面态在光电子角度分布中显示出大的圆二色性，不对称性约为20%，其符号与测量到的自旋符号相对应。
引用
@article{arxiv.1108.1053,
title = {High spin polarization and circular dichroism of topological surface states on Bi2Te3},
author = {M. R. Scholz and J. Sánchez-Barriga and D. Marchenko and A. Varykhalov and A. Volykhov and L. V. Yashina and O. Rader},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.1053},
year = {2012}
}
备注
9 pages, 3 figures, submitted to Phys. Rev. Letters 9.10.2010 (under review)