拓扑绝缘体光电子的自旋极化
介观与纳米尺度物理
2012-09-03 v1 材料科学
摘要
我们表明，如果在典型的光发射测量中使用完全偏振光，来自拓扑绝缘体表面态的光电子的自旋极化度为 100%，因此可能显著“高于”初态的极化度。此外，这些光电子的自旋取向通常也与初始表面态大不相同，并受光子偏振控制；一系列丰富的预测现象最近已通过自旋和角度分辨光发射实验得到证实。
引用
@article{arxiv.1208.6295,
title = {Spin Polarization of Photoelectrons from Topological Insulators},
author = {Cheol-Hwan Park and Steven G. Louie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.6295},
year = {2012}
}
备注
A sentence on the effect of the imaginary part of the initial-state electron self energy is added to the published version