拓扑材料中的自旋分辨与角分辨光电子能谱
介观与纳米尺度物理
2019-04-15 v1
摘要
本文对拓扑材料中的自旋分辨与角分辨光电子能谱进行了历史性回顾，面向刚进入该领域或希望了解该领域研究概况的读者。主要关注点在于拓扑绝缘体，但也会讨论 Weyl 半金属及其他半金属。此外，还将解释为何来自自旋极化态的测得自旋极化率总和应始终为 100%，以及自旋干涉效应如何影响所测得的自旋纹理。
引用
@article{arxiv.1812.04462,
title = {Spin- and angle-resolved photoemission on topological materials},
author = {J. Hugo Dil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.04462},
year = {2019}
}
备注
Invited review article for special issue "ARPES Studies of Topological Materials" in Electronic Structure