通讯:对《关于三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的理解》的回复
材料科学
2019-06-19 v1 应用物理
摘要
我们报道了首次自旋电势测量,使用铁磁体/隧穿势垒接触电极电学探测拓扑绝缘体(TI)表面态中由自旋-动量锁定引起的自旋极化[1]。该方法已被采用来测量其他TI系统中的电流产生自旋,尽管测得的自旋电压符号存在冲突[1,2,4,6-10]。Tian等人希望使用其在文献[4]中提出的模型来确定诱导自旋极化的符号,从而判断各研究组声称在块体TIs中探测到拓扑保护表面态是否正确。我们回复的核心要点是:所呈现的模型无法做到这一点,因为它未能包含独立影响所测自旋极化符号的分别的物理贡献。
关键词
引用
@article{arxiv.1904.04367,
title = {Correspondence: Reply to "On the understanding of current-induced spin polarization of 3D topological insulators"},
author = {C. H. Li and O. M. J. van t Erve and S. Rajput and L. Li and B. T. Jonker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.04367},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 2 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1810.00757