从硅向拓扑绝缘体的自旋注入：Si与Bi2Se3之间的肖特基势垒
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
提出了一种通过从硅注入自旋极化电子来电测量拓扑绝缘体表面态中自旋-动量耦合的方案。作为初步方法，制备了由n型硅上薄层（<100nm）剥离的Bi2Se3晶体组成的器件，并具有独立的硅和Bi2Se3电接触。对反向偏置下热电子发射的温度依赖性分析表明，Si-Bi2Se3界面处的势垒高度为0.34 eV。这种稳健的肖特基势垒为基于Bi2Se3到Si的亚带隙内部光发射的新型器件设计开辟了可能性。
引用
@article{arxiv.1205.4488,
title = {Towards spin injection from silicon into topological insulators: Schottky barrier between Si and Bi2Se3},
author = {C. Ojeda-Aristizabal and M. S. Fuhrer and N. P Butch and J. Paglione and I. Appelbaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.4488},
year = {2015}
}