拓扑绝缘体Bi2Se3与过渡金属界面处的能带弯曲
介观与纳米尺度物理
2015-11-12 v1
摘要
通过XPS、SIMS、UPS和接触I-V测量，研究了剥离的拓扑绝缘体Bi2Se3与通过溅射沉积的几种过渡金属之间的界面。即使不加覆盖层，用薄至1 nm的过渡金属层包覆Bi2Se3也能实现化学清洁的界面。最有趣的是，UPS谱表明在界面附近原本为n型的拓扑绝缘体中出现了耗尽或反型。若希望利用体带隙中表面态的自旋锁定用于潜在的自旋电子学应用，拓扑绝缘体中的强能带弯曲需要精细的材料工程或电偏置。
引用
@article{arxiv.1511.03421,
title = {Band bending at interfaces between topological insulator Bi2Se3 and transition metals},
author = {Weiguang Ye and A. B. Pakhomov and Shuigang Xu and Huanhuan Lu and Zefei Wu and Yu Han and Tianyi Han and Yingying Wu and Gen Long and Jiangxiazi Lin and Gu Xu and Yuan Cai and Lu-Tao Weng and Ning Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.03421},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 5 figures