拓扑绝缘体硒化铋在少层极限下蓝移的光学证据
材料科学
2017-05-24 v1
摘要
本文利用宽带吸收光谱研究了通过磁控溅射生长的高质量少层拓扑绝缘体 Bi2Se3 薄膜的光学带隙性质。我们提供了直接的实验光学证据，表明随着 Bi2Se3 趋近二维极限，其带隙发生刚性蓝移，最高可达 0.5 eV。这种行为在少于六个五重层时最为显著。该蓝移非常稳定，在受保护（带覆盖层）和暴露（无覆盖层）的薄膜中均观察到。我们的结果与以下观测相一致：有限尺寸效应对拓扑绝缘体的电子特性具有深远影响，特别是当其上下表面态发生耦合时。我们的结果提供了新的见解，并表明在拓扑材料对电子应用产生重大影响之前，有必要对其标度行为进行更深入的研究。
引用
@article{arxiv.1703.01019,
title = {Optical evidence of blue shift in topological insulator bismuth selenide in the few-layer limit},
author = {Yub Raj Sapkota and Asma Alkabsh and Aaron Walber and Hassana Samassekou and Dipanjan Mazumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.01019},
year = {2017}
}