常压与高压下 Bi2Te2Se 的光学性质
材料科学
2013-01-01 v2
摘要
报道了三维拓扑绝缘体 Bi2Te2Se 在常压下光偏振于平面时复光学性质的温度依赖性，以及室温下压力的影响。该材料表现出半导体特性，在 295 K 时体光学带隙为 300 meV。除了在平面内观察到的两种预期的红外活性振动外，还存在额外的精细结构，归因于简并度的消除或由于无序导致的拉曼模式激活。还观察到一个位于 200 cm的强杂质带。在光学带隙处及略高于带隙处，发现几种带间吸收表现出强烈的温度和压力依赖性。随着温度降低，这些特征强度增加并发生硬化。施加压力导致带隙在 8 GPa 以上非常突然地闭合，并强烈改变了中红外光谱范围内的带间吸收。虽然第一性原理计算未能预测带隙的坍缩，但它们成功描述了常压下的带隙大小以及光导率的大小和形状。
引用
@article{arxiv.1209.3593,
title = {Optical properties of Bi2Te2Se at ambient and high pressure},
author = {Ana Akrap and Michael Tran and Alberto Ubaldini and J. Teyssier and Enrico Giannini and Dirk van der Marel and Philippe Lerch and Christopher C. Homes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.3593},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 7 figures