铋基拓扑绝缘体的光学电导率
材料科学
2012-09-13 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们在 5 至 300 K 温度范围以及从亚太赫兹到可见光的频率范围内，测量了四种具有递增化学补偿度的拓扑绝缘体（Bi2Se3、Bi2-xCaxSe3、Bi2Se2Te、Bi2Te2Se）的光学电导率和谱权重。补偿效应在红外光谱中清晰可见，表现为外在 Drude 项的抑制以及强吸收峰的出现，我们将这些吸收峰归因于局域态之间的电子跃迁。从补偿度最高的样品（Bi2Te2Se）的远红外谱权重可以估算出电荷载流子密度约为 10^17/cm^3，这与输运数据吻合良好。这些结果表明，即使在目前达到的最高补偿度下，拓扑绝缘体单晶中的低能电动力学仍然受到外在电荷激发的影响。
引用
@article{arxiv.1201.5609,
title = {Optical conductivity of Bismuth-based topological insulator},
author = {P. Di Pietro and F. M. Vitucci and D. Nicoletti and L. Baldassarre and P. Calvani and R. Cava and Y. S. Hor and U. Schade and S. Lupi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.5609},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures