一维掺杂Hubbard-金属绝缘体的光导率
强关联电子
2009-11-07 v2
摘要
我们研究了强相关电子系统在金属-绝缘体转变处的光学响应。通过映射到正弦-希尔顿模型，利用半经典量子化方法，光谱权重分布在 Drude 峰和由醒嘶吸收线组成的能级中。我们计算了 Drude 权重、光学带隙以及醒嘶吸收的能线型。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0203273,
title = {Optical conductivity of one-dimensional doped Hubbard-Mott insulator},
author = {D. N. Aristov and Vadim V. Cheianov and A. Luther},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203273},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 EPS figures, REVTEX 4, a final version