一维掺杂Mott绝缘体中的电荷激发
凝聚态物理
2009-10-28 v2
摘要
基于包含Umklapp散射过程的相位哈密顿量研究了一维掺杂Mott绝缘体，其中电荷自由度由量子sine-Gordon模型描述。量子sine-Gordon模型与无自旋费米子的有质量Thirring模型之间众所周知的等价性清楚地表明，Mott-Hubbard能隙源于Umklapp散射过程，正如Emery和Giamarchi所指出的。在自洽Born近似处理杂质散射的情况下，计算了压缩率、密度-密度关联函数、光导率的频率依赖性和Drude权重。可以看到，电荷激发的谱权重存在交叉行为：声学模式在小波数区域占主导，而跨越Mott-Hubbard能隙的光学激发位于大波数区域，并且随着接近Mott转变，该交叉波数减小。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9608152,
title = {Charge Excitations in Doped Mott Insulator in One Dimension},
author = {Michiyasu Mori and Hidetoshi Fukuyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9608152},
year = {2009}
}
备注
We revised our previous manuscript. 17 pages and 11 figures, to be published in Journal of the Physical Society of Japan Vol.65 No.11