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一维掺杂Mott绝缘体的量子化电导

凝聚态物理 2009-10-30 v1

摘要

基于Maslov-Stone和Ponomarenko的方法,研究了一维掺杂Mott绝缘体量子化电导的可能修正,其中Umklapp散射起着重要作用。在T=0且远离半填充时,电导量子化为g=2e2/hg=2e^2/h,并且不受Umklapp散射过程的重整化影响。然而,在有限温度下,量子化会受到栅极电压和温度的影响。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/9708002,
  title  = {Quantized Conductance of One-Dimensional Doped Mott Insulator},
  author = {Michiyasu Mori and Masao Ogata and Hidetoshi Fukuyama},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9708002},
  year   = {2009}
}

备注

10 pages, 4 figures, uses jpsj.sty