Mott绝缘体光学吸收光谱的温度与维数依赖性
强关联电子
2009-11-10 v2
摘要
我们利用 Hubbard模型在半填充极强耦合极限下的有效模型，研究了一维(1D)和二维(2D)Mott绝缘体光学吸收光谱的温度依赖性。通过对有限尺寸簇的准数值对角化计算，我们发现1D中吸收边能量位置几乎独立于温度，而在2D中，边位置随温度升高而向低能量位移。这种1D与2D之间的不同温度依赖性归因于电荷与自旋自由度之间的耦合差异。讨论了结果对实验的意义，并以维数依赖性为框架加以阐述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312625,
title = {Temperature and Dimensionality Dependences of Optical Absorption Spectra in Mott Insulators},
author = {H. Onodera and T. Tohyama and S. Maekawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312625},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures