J_eff,1/2 Mott绝缘体Sr2IrO4电子结构随温度演化的光学光谱研究
强关联电子
2009-10-23 v1
摘要
我们利用光学光谱研究了J_eff,1/2 Mott绝缘体Sr2IrO4电子结构随温度的演化。最近发现，该化合物的光学电导谱σ(ω)由于电子关联和自旋-轨道耦合的协同作用，展现出两个与J_eff,1/2和J_eff,3/2能带之间跃迁相关的d-d跃迁。随着温度升高，这两个峰发生显著变化，导致Mott能隙减小。我们将实验观测结果与考虑带宽增加的第一性原理计算结果进行了比较。我们从局域晶格畸变、激子效应、电子-声子耦合和磁有序等方面讨论了温度变化对Sr2IrO4电子结构的影响。
引用
@article{arxiv.0910.4377,
title = {Optical spectroscopic investigation on the temperature-dependent electronic structure evolution of the Jeff,1/2 Mott insulator Sr2IrO4},
author = {S. J. Moon and Hosub Jin and W. S. Choi and J. S. Lee and S. S. A. Seo and J. Yu and G. Cao and T. W. Noh and Y. S. Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4377},
year = {2009}
}