Ca3Cu2O4Cl2 Mott 绝缘体电子结构的温度依赖关系
强关联电子
2021-12-28 v1 超导电性
摘要
我们利用扫描隧道显微镜研究铜氧化物母体 Mott 绝缘体 Ca3Cu2O4Cl2 中电子结构的温度演化。我们发现上 Hubbard 带随温度升高向费米能移动，而电荷转移带基本不变。这导致高温下电荷转移能隙减小，且减小速率远快于传统半导体。跨越反铁磁序的 Neel 温度时，电子结构无突变。这些结果对铜氧化物母体 Mott 绝缘体的理论模型提供了新认识。
引用
@article{arxiv.2112.13201,
title = {Temperature dependence of the electronic structure of Ca3Cu2O4Cl2 Mott insulator},
author = {Li Haiwei and Ye Shusen and Zhao Jianfa and Jin Changqing and Yayu Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.13201},
year = {2021}
}