强电子-声子相互作用强关联电子系统中极化子能带结构的温度依赖性
强关联电子
2016-11-18 v1
摘要
在这项工作中，我们通过极化子版本的广义紧束缚(GTB)方法，在三带 p-d-Holstein 模型框架下，研究了以铜氧化物为模型、具有强电子关联和强电子-声子相互作用系统的电子结构的温度依赖性。在该方法中，电子结构由极化子准粒子形成，这些准粒子构建为初态和末态极化子多电子态之间的激发。温度效应通过局域激发极化子态的占据数以及自旋-自旋关联函数大小的变化来考虑，并体现在 Hubbard 极化子子带上谱权重的重新分布以及温度依赖的能带结构中。温度升高导致价带顶光谱函数峰的展宽、峰的偏移、峰强减小、带宽增加以及绝缘体能隙减小。这些效应与在未掺杂 HTSC 铜氧化物中观察到的 ARPES 光谱的温度依赖性在定性上一致。
引用
@article{arxiv.1611.05836,
title = {Temperature dependence of the polaronic band structure in strongly correlated electron systems with strong electron-phonon interaction},
author = {Ilya A. Makarov and Sergey G. Ovchinnikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.05836},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 9 figures (20 .eps figures), 6 sections, 41 references