半导体中电子-声子耦合的关联效应：沿热线的多体理论
材料科学
2016-03-04 v1
摘要
提出了一种在由电子-声子耦合引起的能带结构温度依赖性计算中纳入电子关联的方法。该方法依赖于沿最近引入的热线对振动相空间的高效探索。使用 近似，计算了金刚石、硅、氟化锂、氧化镁和二氧化钛的直接带隙的温度依赖性。在提出的形式体系内，在每个感兴趣的温度下进行单次计算就足以获得与替代的、计算代价更高的方法相同精度的结果。结果表明，超越半局域密度泛函理论的多体贡献在金刚石、硅和二氧化钛中将电子-声子耦合强度改变了近 %，而在氟化锂和氧化镁中改变小于 %。这些结果揭示了半局域泛函在描述电子-声子耦合有效性方面的复杂图景。
引用
@article{arxiv.1603.00551,
title = {Correlation effects on electron-phonon coupling in semiconductors: many-body theory along thermal lines},
author = {Bartomeu Monserrat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.00551},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 4 figures, and Supplemental Material