有机半导体中的电子-声子耦合与迁移率建模：方法及对四烯多晶体的应用
材料科学
2025-02-20 v3
摘要
我们发展了一种从布里渊区的特定模式和 q 点计算晶体有机半导体电子-声子耦合强度的第一性方法。利用获得的耦合强度，我们提出了一种计算电子和空穴随温度变化迁移率的方法。该方法应用于四烯的两种多晶体：bulk 和薄膜形态。为验证我们对电子结构和振动性质的处理，我们计算了晶格-声子区的拉曼光谱，并与实验数据进行了比较。我们将计算得到的迁移率与单晶的可用数据进行了比较，发现结果在实验范围内良好一致，尤其是考虑到可能的带电杂质。最后，我们讨论了不同多晶体之间的观察差异。
引用
@article{arxiv.2407.18824,
title = {Electron-phonon coupling and mobility modeling in organic semiconductors: method and application to tetracene polymorphs},
author = {Patrizio Graziosi and Raffaele Guido Della Valle and Tommaso Salzillo and Simone d'Agostino and Martina Zangari and Elisabetta Cane' and Matteo Masino and Elisabetta Venuti},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.18824},
year = {2025}
}