分子器件中电子-声子耦合的初步分析
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
我们报告对分子器件在外部偏压电压和电流通过过程中的电子-声子耦合的第一性原理分析。我们的理论和计算框架基于密度泛函理论，采用Keldysh非平衡Green's函数格式。我们分析在非平衡条件下哪些分子振动模式与电荷输运最相关。对于由1,4-苯二硫醚酸酐分子构成的分子隧道结，低能振动模式被发现最为重要。随着偏压电压的变化，电子-声子耦合强度会发生剧烈变化，而振动谱在几个百分点水平内变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503157,
title = {Ab initio analysis of electron-phonon coupling in molecular devices},
author = {N. Sergueev and D. Roubtsov and Hong Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503157},
year = {2009}
}
备注
ReVTeX, 11 pages with 4 Postscript figures