非弹性隧穿对分子结噪声特性的影响

在一个简单模型中研究了电子-声子耦合对分子结中电流噪声的影响。该模型包含一个代表分子能级的单能级桥，连接在两个自由电子库之间，并与代表分子振动模式的振动自由度耦合。后者又与代表热环境的声子库耦合。我们关注零频率噪声谱，并研究其在弱和强电子-声子相互作用下的行为变化。在弱耦合区域，我们发现由于非弹性通道的打开，噪声幅度可以增加或减少，这取决于与共振的距离和结的不对称性。特别是，相对Fano因子随着离共振距离和结不对称性的增加而减小。对于具有强电子-声子耦合的共振非弹性隧穿，微分噪声谱除了中心特征外，还可以显示声子边带。当将噪声绘制为源-漏电压的函数时，可以观察到这种边带，但在低源-漏偏压下获得的噪声对栅极电压的图中则观察不到。随着分子-引线耦合不对称性或电子-声子相互作用的增加，中心特征从双峰到单峰的显著交叉被发现。这些变化提供了一种潜在的诊断工具。提出了利用扫描隧道显微镜实验的噪声数据来估计桥上电子-声子相互作用强度的可能用途。