电子-声子散射对纳米接触阵列噪声的影响

我们研究了电子-声子无能量散射对纳米尺度接触阵列阵列噪声的影响，处于准球形传输 regime。我们预测，当接触阵列的局部温度大于其最低振动模态能量 $eV_c$ 时，无能量贡献对阵列噪声（电导）的影响随偏置电压 $V$（$\sqrt{V}$）而增减。相应的 Fano 系数因此随 $\sqrt{V}$ 而增大。我们还表明，无能量贡献对 Fano 系数的影响在接触阵列与 bulk 电极之间热流交换增大后趋于饱和，其饱和值对于 $V>>V_c$ 与偏置无关。因此，通过测量阵列噪声可能提供关于局部温度和纳米导体散热的信息。