量子点系统中无能隙隧穿的散射噪声
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
我们基于最近发展的非微扰技术，对计算通过与量子点（QD）相连的两个导体之间进行非弹性电子散射对电流及其涨落的影响进行理论分析。该技术将许多体电子-声子耦合问题近似映射到多通道单电子散射问题上。在此基础上，我们将shot noise的布鲁提克散射理论应用于具有不同权重因子的双通道亚微米器件，并考察两种特殊情况的零频散射噪声：（i）单分子量子点和（ii）耦合半导体量子点。非平衡Green函数方法有助于计算在映射模型中进行非平衡条件下非弹性过程的单电子传输和反射�幅。对于单分子量子点，我们发现，在存在电子-声子相互作用的情况下，微分导电性和微分散射噪声随偏压电压增加而显示出额外的峰值，由于声子助力过程。在耦合量子点的情况下，我们的非微扰计算在与导体耦合以及两个量子点之间的耦合上以同等重要性地处理了电子-声子相互作用。我们的结果表明，电流和散射噪声随两个量子点之间能量差的变化而呈现振荡，这源于非线性传输过程中声子的自发发射。在“零声子”共挨隧穿区，散射噪声显示出双峰，而在“一声子”区域，仅出现单个峰。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407655,
title = {Shot noise of inelastic tunneling through quantum dot systems},
author = {Bing Dong and H. L. Cui and X. L. Lei and Norman J. M. Horing},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407655},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 6 figures, some minor changes, accepted by Phys. Rev. B