分子量子点介导的无能隙输运中的自旋相关散射噪声
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v4
摘要
本文对无能隙电子散射对磁性纳米接头中自旋相关输运特性（电导、电压-电流关系、磁阻、散射噪声谱、Fano 因子）的影响进行理论分析。该器件由具有离散能级的分子量子点构成，连接到铁磁电极（在宽带近似下处理），其中分子振动建模为无色散声子。本文采用基于映射技术的格林函数理论（GFT-MT）中的非扰动计算方案，将许多体电子-声子相互作用问题转化为单电子多通道散射问题。局域化的电子-声子耦合导致形成极化子。结果表明，极化子位移和传输函数中的额外峰完全改变了所考虑的输运特性形状。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306174,
title = {Spin-dependent shot noise of inelastic transport through molecular quantum dots},
author = {Kamil Walczak},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306174},
year = {2007}
}
备注
13 pages, 5 figures