含内点自旋翻转散射的相互作用量子点通过谱态隧穿的散射噪声
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
本文提出了对通过与两个铁磁导体相连的相互作用量子点进行电子隧穿的零频散射噪声谱的理论研究。假设在两个自旋态之间发生自旋翻转散射。我们采用最近发展的偏置电压和温度依赖的量子速率方程进行理论推导。为此，对传统的生成-复合方法进行了推广，以正确考虑电子态的相干叠加，即非对角密度矩阵元。我们的Numerical 计算发现，Fano 因子随着两个导体的极化程度增加而增加，但随着内点自旋翻转散射的增强而下降。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406679,
title = {Shot noise in resonant tunneling through an interacting quantum dot with intradot spin-flip scattering},
author = {Ivana Djuric and Bing Dong and H. L. Cui},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406679},
year = {2009}
}
备注
Some typos correction. 6 pages, 3 figures, based on work presented at the 2004 IEEE NTC Quantum Device Technology Workshop, accepted for publication by IEEE transactions on Nanotechnology