硅 MOSFET 量子点中的强关联电荷输运
介观与纳米尺度物理
2018-07-13 v3
摘要
量子散粒噪声探测电荷通过量子导体的转移动力学，反映准粒子是以稳定流还是以切分式的突发方式穿过导体。我们在硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管中的量子点上进行了高灵敏度散粒噪声测量。我们器件的质量使我们能够将不同的输运机制及其统计特性与量子点的内部状态精确关联起来。特别地，我们报道了在非弹性共隧穿机制中的大电流涨落，对应于不同的高度关联、非马尔可夫电荷转移过程。我们还观察到在弹性共隧穿机制中低能量下的异常大电流涨落，其起源尚待充分研究。
引用
@article{arxiv.1805.08710,
title = {Strongly correlated charge transport in silicon MOSFET quantum dots},
author = {Minky Seo and Preden Roulleau and Patrice Roche and D. Christian Glattli and Marc Sanquer and Xavier Jehl and Louis Hutin and Sylvain Barraud and Francois D. Parmentier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.08710},
year = {2018}
}
备注
Includes supplementary material