散粒噪声揭示共振费米边处的强量子记忆效应
介观与纳米尺度物理
2012-04-24 v1
摘要
对非平衡电流涨落的研究使得评估纳米导体中量子输运所涉及的相关性成为可能。它们提供了关于电荷统计以及相干性、耗散、无序或纠缠存在的额外信息,作为对平均电流的补充。散粒噪声作为电流自相关函数的时间积分,揭示了动力学信息。特别是,它能探测开放系统中非马尔可夫动力学(即记忆)的存在,这一直是当前许多理论研究的主题。我们报告了在费米边奇点机制下通过 InAs 量子点的电子输运的低温散粒噪声测量,结果显示其表现出由量子点与费米子库之间的量子相关性引起的强记忆效应。我们的工作除了探讨这一备受关注的典型强关联系统中的噪声外,还揭示了相互作用共振费米边处发生的通用量子动力学机制。
引用
@article{arxiv.1204.5089,
title = {Strong quantum memory at resonant Fermi edges revealed by shot noise},
author = {N. Ubbelohde and K. Roszak and F. Hohls and N. Maire and R. J. Haug and T. Novotny},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.5089},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 3 figures