量子点中的共隧穿电流与散粒噪声
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们推导了考虑非马尔可夫记忆效应的电流与散粒噪声的一般表达式。作为对先前方法的推广，我们的理论适用于任意库仑相互作用与耦合强度，并适用于量子点及分子等更复杂的系统。通过对耦合强度进行至二阶的图解展开并考虑共隧穿过程，我们得以研究与许多实验相关的输运区域。作为示例，我们考虑单能级量子点，重点关注库仑阻塞区域。我们发现，由自旋翻转共隧穿过程导致的超泊松散粒噪声出现在与一阶计算预期不同的能量尺度上，且对耦合强度具有敏感的依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501534,
title = {Co-tunneling current and shot noise in quantum dots},
author = {A. Thielmann and M. H. Hettler and J. König and G. Schön},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501534},
year = {2007}
}
备注
4 pages, three figures, submitted to PRL