分子和量子点中隧穿传输的散粒噪声
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
我们考虑通过隧穿障碍将单个分子耦合至金属电极的电运输问题。将分子近似为-Anderson 杂质模型——这是一种包含库仑充电效应的最简单模型——我们扩展了“正统”理论，系统地对隧穿耦合进行阶梯式展开，以扩大电流和散粒噪声。在 particular，我们表明，对电流和散粒噪声的联合测量即使在弱耦合极限下也能揭示系统的详细信息，例如分子左右电极隧穿耦合强度之比，以及库仑充电能的存在。我们的分析同样适用于单能级量子点。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302621,
title = {Shot noise in tunneling transport through molecules and quantum dots},
author = {Axel Thielmann and Matthias H. Hettler and Jürgen König and Gerd Schön},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302621},
year = {2007}
}
备注
8 pages