共振隧穿中增强的散粒噪声：理论与实验
强关联电子
2009-10-30 v1
摘要
我们表明，在 I-V 特性曲线的负微分电阻区域偏置的共振隧穿二极管中，散粒噪声相对于“全”散粒噪声有所增强。我们提供的实验结果显示 Fano 因子高达 6.6，并表明这是由通过库仑力的电子-电子相互作用引起的显著效应，且由于阱中态密度的特殊形状而增强。我们还给出了所提出理论的数值结果，这些结果与实验一致，证明了该模型解释了该现象所涉及的相关物理。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9709277,
title = {Enhanced shot noise in resonant tunneling: theory and experiment},
author = {G. Iannaccone and G. Lombardi and M. Macucci and B. Pellegrini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9709277},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures