碳纳米管场效应晶体管中的增强散粒噪声
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1 软凝聚态物质
摘要
我们通过基于非平衡格林函数形式下泊松方程和薛定谔方程的自洽求解以及再现注入统计的蒙特卡洛方法的数值研究，预测了无缺陷碳纳米管场效应晶体管中的散粒噪声增强。噪声增强是由于来自漏极的空穴被捕获到沟道中的准束缚态与来自源极的电子的热电子注入之间的相关性，这可以在室温下导致可观的Fano因子1.22。
引用
@article{arxiv.1001.4144,
title = {Enhanced shot noise in carbon nanotube field-effect transistors},
author = {Alessandro Betti and Gianluca Fiori and Giuseppe Iannaccone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.4144},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures