准一维场效应晶体管中的散粒噪声抑制
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v2
摘要
我们提出了一种评估准一维场效应晶体管（例如基于碳纳米管和硅纳米线的晶体管）中散粒噪声的新方法。该方法通过使用二次量子化框架内的统计方法推导得出，能够同时包含泡利不相容和载流子间库仑排斥的影响。通过这种方式，它通过显式包含库仑排斥对噪声的影响，扩展了Landauer-Büttiker方法。我们在非平衡格林函数框架内通过自洽求解三维泊松方程和输运方程，并结合蒙特卡洛程序来填充注入的电子态，从而实现了该方法。我们表明，泡利和库仑相互作用的联合效应在强反型区将散粒噪声降低至满散粒噪声的23%（栅极过驱动电压为0.4 V时），而忽略库仑排斥效应会导致噪声被高估高达180%。
引用
@article{arxiv.0812.5034,
title = {Shot noise suppression in quasi one-dimensional Field Effect Transistors},
author = {Alessandro Betti and Gianluca Fiori and Giuseppe Iannaccone},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.5034},
year = {2015}
}
备注
Changed content, 7 pages,5 figures