多壁碳纳米管场效应晶体管的散粒噪声
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v3
摘要
我们研究了在4.2 K温度下，直径为6 nm的半导体多壁碳纳米管场效应晶体管在600-950 MHz频率范围内的散粒噪声。我们发现，在最佳正、负源漏电压V下，跨导为3-3.5 μS。对于栅极参考输入电压噪声，在V>0和V<0时分别获得0.2和0.3 μV/√Hz。作为有效电荷噪声，这对应于2-3 × 10⁻⁵ e/√Hz。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606661,
title = {Shot noise of a multiwalled carbon nanotube field effect transistor},
author = {F. Wu and T. Tsuneta and R. Tarkiainen and D. Gunnarsson and T. H. Wang and P. J. Hakonen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606661},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures, submitted