碳纳米管场效应晶体管的Hooge常数
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
在超高真空和暴露于空气后，测量了场效应晶体管结构中单个半导体碳纳米管(s-CNT)的1/f噪声。归一化电流谱噪声密度的幅度与源漏电流无关，表明噪声源于迁移率涨落而非载流子数涨落。发现s-CNT的Hooge常数为9.3±0.4×10^-3。将器件暴露于空气中会显著降低1/f噪声的幅度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601458,
title = {Hooge's Constant of Carbon Nanotube Field Effect Transistors},
author = {Masa Ishigami and J. H. Chen and E. D. Williams and D. Tobias and Y. F. Chen and M. S. Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601458},
year = {2009}
}