半导体材料中 1/f 噪声的 Hooge 关系的一种替代形式
综合物理
2021-08-17 v1
摘要
单量子点及其他材料表现出在开与关状态间的无规则切换；这些开-关状态遵循幂律统计，从而产生 1/f 噪声。我们将此现象（亦称为开-关间歇）迁移至半导体材料中的产生与复合（g-r）过程。除 g-r 噪声外，我们得到了可以 Hooge 关系形式给出的 1/f 噪声。所预测的 Hooge 系数依赖于 g-r 噪声的参数与间歇的参数。由于开时间的幂律分布，间歇系数展现出对时间 t 的平滑依赖。我们还提出了 Hooge 的 1/f 噪声公式的一种替代形式，将 1/f 噪声关联于中心（如施主或陷阱原子）的数目，而非 Hooge 所定义的电荷载流子数目。
引用
@article{arxiv.2108.07155,
title = {An alternative form of Hooge's relation for 1/f noise in semiconductor materials},
author = {Ferdinand Grueneis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.07155},
year = {2021}
}
备注
17 pages, 9 figures