半导体材料中漂移与热扰动下的 1/f 噪声
统计力学
2022-02-14 v1
摘要
Voss 与 Clarke 在热平衡状态下未施加电流时，于样品的 Johnson 噪声平方中观测到 1/f 噪声。我们将此现象称为热 1/f 噪声。Voss 与 Clarke 提出空间相关的温度涨落是热 1/f 噪声的起因；他们还表明热 1/f 噪声与通过样品施加电流所获得的 1/f 谱高度吻合。近来，一种间歇产生-复合（g-r）过程被引入以解释半导体中的 1/f 噪声。该间歇 g-r 过程的平方产生一个 1/f 噪声分量，其与 Voss 和 Clarke 的经验发现相关。我们提出，间歇而非连续产生 g-r 脉冲的陷阱是漂移与热扰动下 1/f 噪声的起因。我们认为无需引入相关温度涨落或具有大时间常数分布的氧化层陷阱来解释 1/f 噪声。
引用
@article{arxiv.2202.05390,
title = {1/f Noise Under Drift And Thermal Agitation In Semiconductor Materials},
author = {Ferdinand Grueneis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.05390},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 6 figures