表面离子阱中热激活涨落子的电场噪声

我们在先前未探索的高温区间探测离子阱芯片金属表面附近的电场噪声。我们观察到非平凡的温度依赖关系，1 MHz 频率处噪声幅度在约 500 K 饱和。噪声谱测量揭示 $1/f^{\alpha\approx1}$ 依赖关系，且 $\alpha$ 在低温与高温间略有减小。该行为可通过考虑激活能在 0.35 eV 至 0.65 eV 之间的热激活两能级涨落子分布所致噪声来解释。此能量范围内的过程可能与理解离子阱中电场噪声相关；例如固态缺陷运动和表面吸附物结合能。研究这些过程或有助于确定离子阱中多余电场噪声的起源——这是限制表面阱作为量子器件性能的离子运动退相干主要来源。