电子玻璃中的 1/f 噪声
无序系统与神经网络
2007-05-23 v4 强关联电子
摘要
我们研究表明，在低温下，电子在孤立位点与渗流网络之间跳跃所产生的电荷涨落会在三维电子玻璃中产生 1/f 噪声。低频噪声谱正比于 \omega^{-\alpha}，其中 \alpha 略大于 1。该结果连同 \alpha 的温度依赖性与噪声幅度，均与近期实验吻合良好。这些结果在平直的非相互作用态密度以及包含库仑相互作用的态密度下均成立。在后一种情况下，态密度具有一个随温度升高而逐渐填充的库仑能隙。对于较宽的库仑能隙，该态密度给出的直流电导率的跳跃指数约为 0.75，这已在近期的实验中观察到。对于较窄的库仑能隙，跳跃指数约为 0.5。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111302,
title = {1/f Noise in Electron Glasses},
author = {Kirill Shtengel and Clare C. Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111302},
year = {2007}
}
备注
8 pages, Latex, 6 encapsulated postscript figures, to be published in Phys. Rev. B