二维跳跃导电中 1/f 噪声的调制机制
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们表明，二维电子气中存在跳跃导电的 1/f 噪声可由由非导电态占据度波动引起的导电路径调制所解释。该噪声对临界跳跃网络结构敏感，该网络结构可通过改变电子浓度、样品尺寸和温度进行调制。随着温度的升高，它清晰地揭示了不同跳跃制度之间的横断面。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109220,
title = {Modulation origin of 1/f noise in two-dimensional hopping},
author = {V. Pokrovskii and A. K. Savchenko and W. R. Tribe and E. H. Linfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109220},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, to be published in Phys.Rev.B (Rapid Communication)