锗硅量子点二维阵列中的非线性高频跳跃电导：声学方法
介观与纳米尺度物理
2012-03-16 v1
摘要
利用声学方法，我们测量了Ge-in-Si量子点二维阵列中的非线性交流电导。实验结果与密集局域态晶格交流电导建模的结合使我们得出结论：在具有大局域长度的跳跃系统中，交流电导的主要机制是大团簇内的电荷转移，而其非欧姆行为的主要机制是吸收功率导致的电荷加热。
引用
@article{arxiv.1203.3285,
title = {Nonlinear high-frequency hopping conduction in two-dimensional arrays of Ge-in-Si quantum dots: Acoustic methods},
author = {I. L. Drichko and A. M. Diakonov and V. A. Malysh and I. Yu. Smirnov and E. S. Koptev and A. I. Nikiforov and N. P. Stepina and Y. M. Galperin and J. Bergli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.3285},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 7 figures