双子带 n-GaAs/AlAs 异质结构中的非线性交流与直流电导率

在宽磁场范围内研究了具有两个填满尺寸量子化能级的 n-GaAs/AlAs 异质结构的直流与交流导电性。该异质结构的电子能谱以两个子带（对称 $S$ 与反对称 $AS$）为特征，由带隙 $\Delta_{12}=15.5$ meV 分隔。结果表明，在施加磁场 $B >3$ T 的线性区中，系统表现出对应于整数量子霍尔效应的振荡。这种振荡的相当复杂的图样可很好地用关联不同子带的朗道能级之间的跃迁来解释。在 $B <1$ T 时，观测到磁子带间电阻振荡（MISOs）。在整数量子霍尔效应区中，随流经样品的电流或表面声波（SAW）强度的增大而增大的电导率，是由电子气温度的升高所决定的。在子带间跃迁的情形下，发现非线性不能由加热来解释。同时，交流导电性随 SAW 电场增大而减小的行为与频率无关，但相应的行为并不与直流导电性对霍尔电压 $E_y$ 的依赖关系相一致。