n-GaAs/AlGaAs 宽量子阱中的子带间散射
介观与纳米尺度物理
2018-02-28 v1
摘要
在 75 nm 宽量子阱中，当高强度表面声波加热二维电子时，观测到电导率的慢磁振荡。这些磁振荡由对称与反对称子带间的弹性子带间散射引起，该子带因量子阱中心静电势垒而形成。确定了这些子带间的隧穿分裂以及子带间散射率。
引用
@article{arxiv.1801.03708,
title = {Intersubband scattering in n-GaAs/AlGaAs wide quantum wells},
author = {I. L. Drichko and I. Yu. Smirnov and M. O. Nestoklon and A. V. Suslov and D. Kamburov and K. W. Baldwin and L. N. Pfeiffer and K. W. West and L. E. Golub},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.03708},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 5 figures