量子化磁场下双量子阱中电子子带的杂化
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们采用磁电容和远红外光谱技术研究了中心具有窄隧穿势垒的抛物量子阱中双层电子系统的能谱。对于这种软双子带系统中由栅极偏压控制的不对称电子密度分布，我们在整数填充因子ν下观察到单个子带能隙和双层能隙。双层能隙被证明要么是两个子带共有的平凡能隙，要么是由磁场中电子子带的杂化引起的。我们在一个简单的修正双层能谱模型内描述了在ν=1和ν=2处观察到的杂化能隙。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9806203,
title = {Hybridization of electron subbands in a double quantum well at quantizing magnetic field},
author = {V. T. Dolgopolov and A. A. Shashkin and E. V. Deviatov and F. Hastreiter and M. Hartung and A. Wixforth and K. L. Campman and A. C. Gossard},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9806203},
year = {2009}
}
备注
REVTeX, 24 pages, 9 figures included. Submitted to Phys. Rev. B