宽量子阱中双层电子系统各层的表征
介观与纳米尺度物理
2018-03-14 v1
摘要
本文报道一种透明的方法,用于表征在宽量子阱中形成的双层电子系统的各层并确定其电子密度。该技术依赖于同时测量电子系统与位于阱两侧栅极之间的电容。由第二子带占据和电子附加层的出现所引起的电子波函数改变均可被探测到。这些电容的磁场依赖性主要由最近电子层中朗道能级占据所引起的量子修正所主导。该技术应同样适用于其他双层电子系统的实现。
引用
@article{arxiv.1712.10171,
title = {Characterization of individual layers in a bilayer electron system produced in a wide quantum well},
author = {S. I. Dorozhkin and A. A. Kapustin and I. B. Fedorov and V. Umansky and K. von Klitzing and J. H. Smet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.10171},
year = {2018}
}
备注
submitted to Journal of Applied Physics