n型宽碲量子阱中的双层量子霍尔态
介观与纳米尺度物理
2021-10-04 v1 材料科学
摘要
碲(Te)是一种具有独特手性晶体结构的窄带隙半导体。通过在二维(2D)Te薄膜上采用原子层沉积(ALD)技术实现n型掺杂,可研究Te导带中电子的拓扑性质。本工作中,我们制备并测量了双栅极n型Te霍尔棒器件,该器件可作为由顶栅和背栅控制的两个独立或耦合电子层工作。在顶、底电子层中均观察到显著的舒布尼科夫-德哈斯(SdH)振荡。分析了两层间的朗道能级杂化,以及在填充因子4、6和8处的复合且可电荷转移的双层量子霍尔态。我们的工作为研究二维材料耦合双层体系中的外尔物理打开了大门。
引用
@article{arxiv.2107.08365,
title = {Bilayer Quantum Hall States in an n-type Wide Tellurium Quantum Well},
author = {Chang Niu and Gang Qiu and Yixiu Wang and Mengwei Si and Wenzhuo Wu and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.08365},
year = {2021}
}
备注
Submitted to Nano Letters