带有积累接触的二维碲的热电性能
材料科学
2019-03-27 v1
摘要
碲是一种本征 p 型掺杂的窄带隙半导体，具有优异的导电性和低热导率。理论与实验均已证明，块体三方相碲是一种具有高热电品质因子 ZT 值的出色热电材料。鉴于二维碲薄膜合成路线的最新进展，以及利用纳米结构作为热电器件的发展趋势，我们在此首次报道了碲纳米薄膜的优异热电性能，其室温功率因子为 31.7 WcmK，ZT 值为 0.63。为了进一步提高纳米薄膜器件中收集热电功率的效率，我们以激光作为热源进行了热电流映射，发现诸如钯等高功函数金属可以与二维碲形成罕见的积累型金属-半导体接触，从而能够更高效地收集热电产生的载流子。高性能的二维碲热电器件在微系统中作为能量收集器件或纳米级 Peltier 制冷器具有广泛的应用前景。
引用
@article{arxiv.1812.10231,
title = {Thermoelectric Performance of 2D Tellurium with Accumulation Contacts},
author = {Gang Qiu and Shouyuan Huang and Mauricio Segovia and Prabhu K. Venuthurumilli and Yixiu Wang and Wenzhuo Wu and Xianfan Xu and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.10231},
year = {2019}
}
备注
manuscript+SI, 30 pages